MagnaChip MPMC150B120RH, 7DM-2 , N-Channel Series IGBT Module, 150 A max, 1200 V, Panel Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MagnaChipMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
735 W
Package Type
7DM-2
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Switching Speed
70kHz
Transistor Configuration
Series
Dimensions
94 x 48 x 22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 100,00
€ 100,00 kpl (ilman ALV)
€ 125,50
€ 125,50 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 100,00
€ 100,00 kpl (ilman ALV)
€ 125,50
€ 125,50 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 100,00 |
| 2 - 4 | € 90,00 |
| 5 - 9 | € 82,00 |
| 10+ | € 80,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MagnaChipMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
735 W
Package Type
7DM-2
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Switching Speed
70kHz
Transistor Configuration
Series
Dimensions
94 x 48 x 22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.