Nexperia PMV16XN N-Channel MOSFET, 8.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV16XNR
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV16XN
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 16,50
€ 0,33 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 20,71
€ 0,414 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
50
€ 16,50
€ 0,33 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 20,71
€ 0,414 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,33 | € 16,50 |
| 250 - 450 | € 0,152 | € 7,60 |
| 500 - 1200 | € 0,144 | € 7,20 |
| 1250 - 2450 | € 0,128 | € 6,40 |
| 2500+ | € 0,124 | € 6,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV16XN
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.