onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G

RS tilauskoodi: 793-1055Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTF3055-100T1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Width

3.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V dc

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.65mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,79

€ 0,779 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,78

€ 0,978 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 7,79

€ 0,779 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,78

€ 0,978 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,779€ 7,79
100 - 240€ 0,671€ 6,71
250 - 490€ 0,582€ 5,82
500+€ 0,512€ 5,12

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Width

3.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V dc

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.65mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja