onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1

RS tilauskoodi: 202-5701PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTH4L080N120SC1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

NTH

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 152,00

€ 7,60 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 190,76

€ 9,538 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Valitse pakkaustyyppi

€ 152,00

€ 7,60 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 190,76

€ 9,538 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
20 - 198€ 7,60€ 15,20
200+€ 6,60€ 13,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

NTH

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja