onsemi N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 NTHL065N65S3F
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.82mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,70
€ 10,70 kpl (ilman ALV)
€ 13,43
€ 13,43 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 10,70
€ 10,70 kpl (ilman ALV)
€ 13,43
€ 13,43 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,70 |
| 10+ | € 9,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.82mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.