onsemi N-Channel MOSFET, 79 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4936NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 553,50
€ 0,369 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 694,64
€ 0,463 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 553,50
€ 0,369 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 694,64
€ 0,463 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.