onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Series
NTMFS5C430N
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 942,00
€ 0,628 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 182,21
€ 0,788 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 942,00
€ 0,628 1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 182,21
€ 0,788 1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Series
NTMFS5C430N
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.