onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 58 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NVH4L040N120SC1

RS tilauskoodi: 202-5738Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVH4L040N120SC1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

NVH

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.056 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 41,00

€ 20,50 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 51,46

€ 25,728 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 58 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NVH4L040N120SC1
Valitse pakkaustyyppi

€ 41,00

€ 20,50 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 51,46

€ 25,728 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 58 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NVH4L040N120SC1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

NVH

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.056 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja