onsemi Dual N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V, 8-Pin DFN NVMFD5C462NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 15,50
€ 1,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 19,45
€ 1,945 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 15,50
€ 1,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 19,45
€ 1,945 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.