onsemi NVTFS5C471NL N-Channel MOSFET, 41 A, 40 V, 8-Pin WDFN NVTFS5C471NLWFTAG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
41 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
NVTFS5C471NL
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 25,00
€ 1,25 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 31,38
€ 1,569 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
€ 25,00
€ 1,25 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 31,38
€ 1,569 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 1,25 | € 25,00 |
| 200 - 480 | € 1,10 | € 22,00 |
| 500+ | € 0,943 | € 18,86 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
41 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
NVTFS5C471NL
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.