N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
18 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Width
2.6mm
Height
1.6mm
Tuotetiedot
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 29,00
€ 2,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 36,40
€ 3,64 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
10
€ 29,00
€ 2,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 36,40
€ 3,64 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,90 | € 14,50 |
| 25 - 95 | € 2,75 | € 13,75 |
| 100 - 495 | € 2,20 | € 11,00 |
| 500+ | € 1,95 | € 9,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
18 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Width
2.6mm
Height
1.6mm
Tuotetiedot
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.