STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT027H65G3AG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 17 800,00
€ 17,80 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 22 339,00
€ 22,339 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 17 800,00
€ 17,80 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 22 339,00
€ 22,339 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.