STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150

RS tilauskoodi: 761-0588Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP4N150
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Package Type

TO-220

Series

MDmesh

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,10

€ 6,10 kpl (ilman ALV)

€ 7,66

€ 7,66 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,10

€ 6,10 kpl (ilman ALV)

€ 7,66

€ 7,66 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-220 STP4N150
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 6,10
5 - 9€ 5,80
10 - 24€ 5,20
25 - 49€ 4,75
50+€ 4,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Package Type

TO-220

Series

MDmesh

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja