Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17575Q3

RS tilauskoodi: 208-8480Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD17575Q3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.3e+006 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11,50

€ 1,15 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,43

€ 1,443 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17575Q3
Valitse pakkaustyyppi

€ 11,50

€ 1,15 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,43

€ 1,443 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17575Q3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 1,15€ 11,50
50 - 90€ 1,10€ 11,00
100+€ 0,845€ 8,45

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.3e+006 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja