N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS

RS tilauskoodi: 827-4906PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18537NKCS
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

54 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.51mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 23,72

€ 0,949 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 29,77

€ 1,191 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS
Valitse pakkaustyyppi

€ 23,72

€ 0,949 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 29,77

€ 1,191 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD18537NKCS
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
25 - 45€ 0,949€ 4,74
50 - 245€ 0,84€ 4,20
250 - 495€ 0,726€ 3,63
500+€ 0,643€ 3,22

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

54 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.51mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut