Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 20 A, 20 V, 6-Pin WSON CSD25310Q2

RS tilauskoodi: 208-8489Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD25310Q2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

NexFET

Package Type

WSON

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

2.39e+006 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.55V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,15

€ 0,366 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,48

€ 0,459 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 20 A, 20 V, 6-Pin WSON CSD25310Q2
Valitse pakkaustyyppi

€ 9,15

€ 0,366 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,48

€ 0,459 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 20 A, 20 V, 6-Pin WSON CSD25310Q2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

NexFET

Package Type

WSON

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

2.39e+006 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.55V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja