Vishay N-Channel MOSFET, 15 A, 250 V, 3-Pin TO-247AC IRFP244PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 18,00
€ 3,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 22,59
€ 4,518 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 18,00
€ 3,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 22,59
€ 4,518 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,60 | € 18,00 |
| 25 - 45 | € 3,05 | € 15,25 |
| 50 - 120 | € 2,70 | € 13,50 |
| 125 - 245 | € 2,50 | € 12,50 |
| 250+ | € 2,35 | € 11,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.