Vishay N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.89mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
1.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,25
€ 1,85 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,61
€ 2,322 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 9,25
€ 1,85 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,61
€ 2,322 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,85 | € 9,25 |
| 50 - 120 | € 1,60 | € 8,00 |
| 125 - 245 | € 1,40 | € 7,00 |
| 250 - 495 | € 1,15 | € 5,75 |
| 500+ | € 0,896 | € 4,48 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.89mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
1.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.