Vishay TrenchFET Dual P-Channel MOSFET, 71.9 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR681DP-T1-RE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
71.9 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0112 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 300,00
€ 1,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 141,50
€ 1,38 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 3 300,00
€ 1,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 141,50
€ 1,38 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
71.9 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0112 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.