Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
SQ Rugged
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
7.14 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 25,50
€ 2,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 32,00
€ 3,20 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 25,50
€ 2,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 32,00
€ 3,20 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 2,55 | € 25,50 |
| 50 - 90 | € 2,05 | € 20,50 |
| 100 - 240 | € 1,80 | € 18,00 |
| 250 - 490 | € 1,65 | € 16,50 |
| 500+ | € 1,40 | € 14,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
SQ Rugged
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
7.14 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.