Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-08L-E3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 800,00
€ 2,25 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 259,00
€ 2,824 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
€ 1 800,00
€ 2,25 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 259,00
€ 2,824 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.