Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 12,70
€ 0,635 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,94
€ 0,797 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
€ 12,70
€ 0,635 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,94
€ 0,797 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,635 | € 12,70 |
| 100 - 480 | € 0,443 | € 8,86 |
| 500 - 980 | € 0,398 | € 7,96 |
| 1000 - 2480 | € 0,355 | € 7,10 |
| 2500+ | € 0,319 | € 6,38 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.