Fuji 2MBi300VH-120-50 Series IGBT Module, 360 A 1200 V, 7-Pin M276, Screw Mount

RS tilauskoodi: 747-1099Tuotemerkki: FujiValmistajan osanumero.: 2MBi300VH-120-50
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Fuji

Maximum Continuous Collector Current

360 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1.6 kW

Package Type

M276

Configuration

Series

Mounting Type

Screw Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Dimensions

108 x 62 x 30.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

P.O.A.

Fuji 2MBi300VH-120-50 Series IGBT Module, 360 A 1200 V, 7-Pin M276, Screw Mount

1

Pakkauskoko 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Fuji 2MBi300VH-120-50 Series IGBT Module, 360 A 1200 V, 7-Pin M276, Screw Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Fuji

Maximum Continuous Collector Current

360 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1.6 kW

Package Type

M276

Configuration

Series

Mounting Type

Screw Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Dimensions

108 x 62 x 30.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut