Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 225 A 1200 V AG-62MMHB, Through Hole

RS tilauskoodi: 284-664Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: F3L225R12W3H3B11BPSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

225 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation

20 mW

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

Package Type

AG-62MMHB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 080,00

€ 135,00 1 Tray of 1 (ilman ALV)

€ 1 355,40

€ 169,425 1 Tray of 1 (Sis ALV:n)

Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 225 A 1200 V AG-62MMHB, Through Hole

€ 1 080,00

€ 135,00 1 Tray of 1 (ilman ALV)

€ 1 355,40

€ 169,425 1 Tray of 1 (Sis ALV:n)

Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 225 A 1200 V AG-62MMHB, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

225 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation

20 mW

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

Package Type

AG-62MMHB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja