Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1

RS tilauskoodi: 223-8523Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPG20N06S4L26AATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 14,82

€ 0,988 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,60

€ 1,24 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 14,82

€ 0,988 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,60

€ 1,24 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
15 - 60€ 0,988€ 14,82
75 - 135€ 0,939€ 14,08
150 - 360€ 0,919€ 13,78
375 - 735€ 0,86€ 12,90
750+€ 0,802€ 12,03

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja