Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1

RS tilauskoodi: 222-4694Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPP410N30NAKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.041 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 222,50

€ 4,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 279,24

€ 5,585 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1

50

Pakkauskoko 50
50€ 222,50
100€ 445,00
150€ 667,50
200€ 890,00
250€ 1 112,50
300€ 1 335,00
350€ 1 557,50
400€ 1 780,00
450€ 2 002,50
500€ 2 225,00
550€ 2 447,50
600€ 2 670,00
650€ 2 892,50
700€ 3 115,00
750€ 3 337,50

€ 222,50

€ 4,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 279,24

€ 5,585 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

50

Pakkauskoko 50
50€ 222,50
100€ 445,00
150€ 667,50
200€ 890,00
250€ 1 112,50
300€ 1 335,00
350€ 1 557,50
400€ 1 780,00
450€ 2 002,50
500€ 2 225,00
550€ 2 447,50
600€ 2 670,00
650€ 2 892,50
700€ 3 115,00
750€ 3 337,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.041 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja