Infineon CoolMOS™ G7 N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R102G7XTMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
CoolMOS™ G7
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.102 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4 400,00
€ 2,20 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 522,00
€ 2,761 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 4 400,00
€ 2,20 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 522,00
€ 2,761 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
CoolMOS™ G7
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.102 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.