N-Channel MOSFET, 46 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 Infineon IPZ65R045C7XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
21.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
93 nC @ 10 V
Height
5.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 6,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 7,781
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 6,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 7,781
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
21.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
93 nC @ 10 V
Height
5.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.