Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 24 A, 150 V, 3-Pin DPAK IRFR24N15DTRPBF

RS tilauskoodi: 220-7491Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFR24N15DTRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

HEXFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.095 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

30V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 236,00

€ 0,618 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 551,18

€ 0,776 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 24 A, 150 V, 3-Pin DPAK IRFR24N15DTRPBF

€ 1 236,00

€ 0,618 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 551,18

€ 0,776 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 24 A, 150 V, 3-Pin DPAK IRFR24N15DTRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
2000 - 2000€ 0,618€ 1 236,00
4000+€ 0,587€ 1 174,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

HEXFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.095 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

30V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja