Infineon OptiMOS Power Transistor SiC P-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL ISZ15EP15LMATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
OptiMOS Power Transistor
Package Type
PG-TSDSON-8 FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 910,00
€ 0,382 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 397,05
€ 0,479 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1 910,00
€ 0,382 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 397,05
€ 0,479 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
OptiMOS Power Transistor
Package Type
PG-TSDSON-8 FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.