IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Package Type
TO-268
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Length
16.05mm
Width
14mm
Height
5.1mm
Dimensions
16.05 x 14 x 5.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 20,40
€ 20,40 kpl (ilman ALV)
€ 25,60
€ 25,60 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 20,40
€ 20,40 kpl (ilman ALV)
€ 25,60
€ 25,60 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Package Type
TO-268
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Length
16.05mm
Width
14mm
Height
5.1mm
Dimensions
16.05 x 14 x 5.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.