IXYS Linear N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXTN22N100L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
Linear
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
270 nC @ 15 V
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.6mm
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 625,00
€ 62,50 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 784,38
€ 78,438 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
€ 625,00
€ 62,50 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 784,38
€ 78,438 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
Linear
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
700 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
270 nC @ 15 V
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.6mm
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.