N-Channel MOSFET, 5.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV30UN2R
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV30UN2
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Width
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,134
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,168
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,134
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,168
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,134 | € 402,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,129 | € 387,00 |
| 15000 - 27000 | € 0,125 | € 375,00 |
| 30000 - 72000 | € 0,119 | € 357,00 |
| 75000+ | € 0,117 | € 351,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
PMV30UN2
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Width
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.