onsemi 1000V 1A, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-41 1N4007G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
DO-41
Maximum Continuous Forward Current
1A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Single
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.1V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Silicon Junction
Diameter
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
DO-41
Maximum Continuous Forward Current
1A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Single
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.1V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Silicon Junction
Diameter
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.