onsemi 2N3904BU NPN Transistor, 200 mA, 40 V, 3-Pin TO-92
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,253
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,318
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 0,253
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,318
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,253 | € 12,65 |
| 500+ | € 0,218 | € 10,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.