ON Semiconductor, FJP2160DTU, Emmitter Switched, NPN Silicon Transistor 2 A 2.21V, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
20
Maximum Base Current
1A
Pin Count
3
Category
Silicon Transistor
Height
15.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Length
9.9mm
Tuotetiedot
ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2,48
€ 0,496 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,11
€ 0,622 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 2,48
€ 0,496 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,11
€ 0,622 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
20
Maximum Base Current
1A
Pin Count
3
Category
Silicon Transistor
Height
15.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Length
9.9mm
Tuotetiedot
ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.