onsemi MMBTA13LT1G NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:20000, 3-Pin SOT-23 (TO-236
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23 (TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,03
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,038
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,03
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,038
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,03 | € 90,00 |
| 6000+ | € 0,028 | € 84,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23 (TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.