N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA7002NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
0.9mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.65mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,175
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,217
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 0,175
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,217
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,175 | € 8,75 |
| 500 - 1200 | € 0,16 | € 8,00 |
| 1250 - 2450 | € 0,151 | € 7,55 |
| 2500 - 4950 | € 0,138 | € 6,90 |
| 5000+ | € 0,126 | € 6,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
0.9mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.65mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.