SiC N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L onsemi NTH4L022N120M3S

RS tilauskoodi: 233-6854Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTH4L022N120M3S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 15,10

€ 15,10 kpl (ilman ALV)

€ 18,95

€ 18,95 kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L onsemi NTH4L022N120M3S
Valitse pakkaustyyppi

€ 15,10

€ 15,10 kpl (ilman ALV)

€ 18,95

€ 18,95 kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L onsemi NTH4L022N120M3S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja