Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G

RS tilauskoodi: 780-0589Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTHD4102PT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.6 nC @ 4.5 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,364

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,457

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,364

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,457

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.6 nC @ 4.5 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja