onsemi N-Channel MOSFET, 83 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C454NT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Vietnam
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 14,50
€ 1,45 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 1,82 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 14,50
€ 1,45 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 1,82 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,45 | € 14,50 |
| 100 - 240 | € 1,25 | € 12,50 |
| 250+ | € 1,05 | € 10,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Vietnam
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.