onsemi N-Channel MOSFET, 49 A, 60 V, 3-Pin DPAK NVD5C668NLT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
49 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NVD5C668NL
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
44 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.38mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 107,50
€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 134,91
€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 107,50
€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 134,91
€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 2,15 | € 10,75 |
| 100 - 495 | € 1,85 | € 9,25 |
| 500 - 995 | € 1,65 | € 8,25 |
| 1000+ | € 1,50 | € 7,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
49 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NVD5C668NL
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
44 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.38mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.