onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG

RS tilauskoodi: 172-3379Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVTFS6H850NTAG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NVTFS6H850N

Package Type

WDFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

0.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 19,48

€ 0,779 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 24,45

€ 0,978 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
Valitse pakkaustyyppi

€ 19,48

€ 0,779 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 24,45

€ 0,978 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 75€ 0,779€ 19,48
100 - 225€ 0,672€ 16,80
250+€ 0,582€ 14,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NVTFS6H850N

Package Type

WDFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

0.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja