Renesas 2SK1317 N-Channel MOSFET Transistor, 7 A, 1500 V, 3-Pin SC-65 2SK1317-E

RS tilauskoodi: 261-5961Tuotemerkki: Renesas ElectronicsValmistajan osanumero.: 2SK1317-E
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Package Type

SC-65

Series

2SK1317

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Alkuperämaa

Malaysia

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 6,20

€ 6,20 kpl (ilman ALV)

€ 7,78

€ 7,78 kpl (Sis ALV:n)

Renesas 2SK1317 N-Channel MOSFET Transistor, 7 A, 1500 V, 3-Pin SC-65 2SK1317-E
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,20

€ 6,20 kpl (ilman ALV)

€ 7,78

€ 7,78 kpl (Sis ALV:n)

Renesas 2SK1317 N-Channel MOSFET Transistor, 7 A, 1500 V, 3-Pin SC-65 2SK1317-E

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 6,20
5 - 9€ 6,00
10 - 29€ 5,60
30 - 249€ 4,60
250+€ 4,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Package Type

SC-65

Series

2SK1317

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Alkuperämaa

Malaysia

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja