Renesas BD679 NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
10.8mm
Dimensions
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
7.8mm
Width
2.7mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 0,59
€ 0,59 kpl (ilman ALV)
€ 0,74
€ 0,74 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 0,59
€ 0,59 kpl (ilman ALV)
€ 0,74
€ 0,74 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 0,59 |
| 2 - 4 | € 0,56 |
| 5 - 9 | € 0,55 |
| 10 - 24 | € 0,53 |
| 25+ | € 0,51 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
10.8mm
Dimensions
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
7.8mm
Width
2.7mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.