ROHM N-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V, 3-Pin SC-75 RE1L002SNTL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.96mm
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.8mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 21,20
€ 0,106 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 26,61
€ 0,133 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
200
€ 21,20
€ 0,106 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 26,61
€ 0,133 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,106 | € 21,20 |
| 400 - 800 | € 0,099 | € 19,80 |
| 1000 - 1800 | € 0,094 | € 18,80 |
| 2000 - 9800 | € 0,079 | € 15,80 |
| 10000+ | € 0,076 | € 15,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.96mm
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.8mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.