Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 160 V, 5-Pin TO-247 Semelab ALF08NP16V5

RS tilauskoodi: 737-9615Tuotemerkki: SemelabValmistajan osanumero.: ALF08NP16V5
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Semelab

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

160 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

5

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Transistor Configuration

Common Source

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.26mm

Width

5.28mm

Transistor Material

Si

Height

21.44mm

Alkuperämaa

United Kingdom

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

P.O.A.

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 160 V, 5-Pin TO-247 Semelab ALF08NP16V5

P.O.A.

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 160 V, 5-Pin TO-247 Semelab ALF08NP16V5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Semelab

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

160 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

5

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Transistor Configuration

Common Source

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.26mm

Width

5.28mm

Transistor Material

Si

Height

21.44mm

Alkuperämaa

United Kingdom

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja