STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4

RS tilauskoodi: 233-0475PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCTWA70N120G2V-4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

91 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 42,60

€ 42,60 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 53,46

€ 53,46 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4
Valitse pakkaustyyppi

€ 42,60

€ 42,60 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 53,46

€ 53,46 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

91 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja