N-Channel MOSFET, 50 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD40NF10
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1 685,00
€ 0,674 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 114,68
€ 0,846 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1 685,00
€ 0,674 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 114,68
€ 0,846 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.