STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N

RS tilauskoodi: 761-2751PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STF13NM60N
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

16.4mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 23,50

€ 2,35 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 29,49

€ 2,95 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
Valitse pakkaustyyppi

€ 23,50

€ 2,35 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 29,49

€ 2,95 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
10 - 99€ 2,35
100 - 499€ 1,90
500 - 999€ 1,70
1000+€ 1,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

16.4mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut